MOSFET Microchip, canale N, 1 kΩ, 30 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 178-5275
- Codice costruttore:
- LND150N8-G
- Costruttore:
- Microchip
2000 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)
0,557 €
(IVA esclusa)
0,68 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 2000 + | 0,557 € | 1.114,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 178-5275
- Codice costruttore:
- LND150N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex
La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.
Caratteristiche
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Applicazioni
Interruttori normalmente attivi
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni
Transistor MOSFET, Microchip
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 30 mA |
| Tensione massima drain source | 500 V |
| Tipo di package | TO-243AA |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 1 kΩ |
| Modalità del canale | Depletion |
| Tensione di soglia gate massima | 3V |
| Dissipazione di potenza massima | 1,6 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Larghezza | 2.6mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Lunghezza | 4.6mm |
| Altezza | 1.6mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
Link consigliati
- Transistor MOSFET Microchip 1000 Ω TO-92, Su foro
- MOSFET Microchip 30 Ω TO-243AA, Montaggio superficiale
- MOSFET Microchip 12 Ω TO-243AA, Montaggio superficiale
- MOSFET Microchip 10 Ω TO-243AA, Montaggio superficiale
- MOSFET Microchip 150 mA Su foro
- MOSFET Microchip 1 kΩ TO-92, Su foro
- MOSFET Microchip 25 Ω TO-243AA, Montaggio superficiale
- MOSFET Microchip TO-92, Su foro