MOSFET Microchip, canale N, 1,4 Ω, 330 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:
178-5338
Codice costruttore:
LND01K1-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

330 mA

Tensione massima drain source

9 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

5

Resistenza massima drain source

1,4 Ω

Modalità del canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima

360 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +0,6 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+125 °C

Larghezza

1.75mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

3.05mm

Altezza

1.3mm

Minima temperatura operativa

-25 °C

Transistor MOSFET a canale N LND01


LND01 di Microchip è un transistor MOSFET con modalità di esaurimento (normalmente ON), a soglia ridotta. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS.

Caratteristiche


Bidirezionale
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Velocità di commutazione elevate
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di funzionamento in parallelo


Transistor MOSFET, Microchip

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