MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.315 Ω, 8.9 A 150 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SI7315DN-T1-GE3
- Codice RS:
- 180-7728P
- Codice costruttore:
- SI7315DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-7728P
- Codice costruttore:
- SI7315DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.315Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 52W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15.4nC | |
| Minima temperatura operativa | 50°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Lunghezza | 3.61mm | |
| Larghezza | 3.61mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.315Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 52W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15.4nC | ||
Minima temperatura operativa 50°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.12mm | ||
Lunghezza 3.61mm | ||
Larghezza 3.61mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il Vishay SI7315DN è un MOSFET doppio a canale P con tensione drain-source (Vds) di -150V. La tensione gate-source (VGS) è 30V. Ha un contenitore PAK 1212-8 di potenza. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,315 ohm a 10VGS e 0,35 ohm a 7,5 VGS. Corrente di drain massima -8,9 A.
MOSFET di potenza Trench FET
Contenitore PAK a bassa resistenza termica con dimensioni ridotte
Testato al 100% Rg e UIS