MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.1 Ω, 4.1 A 150 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 180-7886P
Codice costruttore:: SI7956DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.1 Ω, 4.1 A 150 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:: 180-7886P
Codice costruttore:: SI7956DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	4.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Serie	SI7956DP
	Tipo di package	PowerPack
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.1Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	17nC
	Minima temperatura operativa	-50°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Duale
	Lunghezza	6.25mm
	Altezza	1.12mm
	Larghezza	5.26 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 4.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Serie SI7956DP
	Tipo di package PowerPack
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.1Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC
	Minima temperatura operativa -50°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Duale
	Lunghezza 6.25mm
	Altezza 1.12mm
	Larghezza 5.26 mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET PowerPAK-SO-8 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 150V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 105mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 3,5 W e una corrente di drain continua di 4,1 A. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

MOSFET doppio • per un risparmio di spazio

• Senza alogeni

• componente senza piombo (Pb)

• bassa resistenza in stato attivo in un nuovo contenitore PowerPAK a bassa resistenza termica

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• convertitori half-bridge e forward

• interruttori sul lato primario ad alta efficienza

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato