MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 26 mΩ Miglioramento, 16 A, 6 Pin, MICRO FOOT, Superficie SI8483DB-T2-E1
- Codice RS:
- 180-7932P
- Codice costruttore:
- SI8483DB-T2-E1
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 250 - 600 | 0,519 € |
| 625 - 1225 | 0,394 € |
| 1250 - 2475 | 0,357 € |
| 2500 + | 0,302 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7932P
- Codice costruttore:
- SI8483DB-T2-E1
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | MICRO FOOT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 26mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 13W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 1.5mm | |
| Altezza | 0.59mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package MICRO FOOT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 26mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 13W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 1.5mm | ||
Altezza 0.59mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a doppio canale N TrenchFET serie Si8483DB Vishay Siliconix è dotato di tensione drain-source di 12 V. Si tratta della massima dissipazione di potenza di 13 W e viene utilizzata principalmente in interruttori di distribuzione di carico in dispositivi portatili.
Bassa caduta di tensione
Basso consumo energetico
Maggiore durata della batteria