MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.0252 Ω, 50 A 80 V, TO-252, Superficie SUD50P08-25L-E3
- Codice RS:
- 180-7935P
- Codice costruttore:
- SUD50P08-25L-E3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 120 | 2,114 € |
| 125 - 245 | 1,942 € |
| 250 - 495 | 1,68 € |
| 500 + | 1,636 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7935P
- Codice costruttore:
- SUD50P08-25L-E3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0252Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 160nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 136W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0252Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 160nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 136W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-252-3 a canale P, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 25,2 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 136W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• componente senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• interruttori adattatori
• interruttori di carico
• PC notebook