1 MOSFET Vishay Singolo, canale N, 0.27 Ω, 7.7 A 100 V, Superficie, Foro passante, 3 Pin IRFU120PBF
- Codice RS:
- 180-8351
- Codice costruttore:
- IRFU120PBF
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,481 € | 36,08 € |
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| 375 + | 0,361 € | 27,08 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8351
- Codice costruttore:
- IRFU120PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo montaggio | Superficie, Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.27Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 42W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16nC | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | Directive 2011/65/EU, RoHS, JEDEC JS709A | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo montaggio Superficie, Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.27Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 42W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16nC | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni Directive 2011/65/EU, RoHS, JEDEC JS709A | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
L'IRFU120 Vishay è un MOSFET di potenza a canale N con tensione di scarico-sorgente (Vds) di 100 V. La tensione di gate-sorgente (VGS) è di 20 V. È dotato di contenitore DPAK (TO-252) e IPAK (TO-251). Offre una resistenza di scarico-sorgente (RDS) di 0..27 ohm a 10 VGS.
Valore nominale dinamico dV/dt
Valanga ripetitiva
Montaggio superficiale