1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.54 Ω, 4.3 A 100 V, Superficie, Foro passante, 3 Pin IRLR110PBF

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Codice RS:
180-8363
Codice costruttore:
IRLR110PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo montaggio

Superficie, Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.54Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

25W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.1nC

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Lunghezza

9.65mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore a canale N, il TO-252-3 è un prodotto di nuova generazione con una tensione sorgente di scarico di 100 V e una tensione sorgente di gate massima di 10 V. È dotato di una resistenza sorgente di scarico di 540 mohm a una tensione sorgente di gate di 5 V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 25 W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione e di conduzione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza e una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Disponibile in nastro e bobina

• Valore nominale dinamico dV/dt

• Componente senza alogeni e piombo (Pb)

• Azionamento gate a livello logico

• Temperature d'esercizio comprese tra -55 °C e 150 °C

• Il RDS (on) specificato a VGS è di 4 V e 5 V

• Valanga ripetitiva

Applicazioni


• Caricabatterie

• Inverter

• Alimentatori

• Alimentatore in modalità switching (SMPS)

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