1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale N, 3 Ω, 4.1 A 800 V, A-262, 3 Pin IRFBE30LPBF
- Codice RS:
- 180-8664
- Codice costruttore:
- IRFBE30LPBF
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8664
- Codice costruttore:
- IRFBE30LPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | A-262 | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 78nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package A-262 | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 78nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 800 V, corrente di drenaggio continua massima 4,1 A - IRFBE30LPBF
Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per le attività di conversione e controllo della potenza in ambienti industriali. Funziona in un'ampia gamma termica ed è adatto per i circuiti che richiedono una robusta gestione ad alta tensione e una capacità di corrente continua moderata in un pacchetto di alimentazione a foro passante.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 800 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 4,1 A supporta correnti di carico sostenute • La resistenza di accensione di 3 Ω riduce le perdite di conduzione nei circuiti a bassa potenza • La dissipazione di potenza di 125 W consente la gestione di una potenza significativa in impieghi limitati • La carica di gate tipica di 78 nC consente un budget energetico di commutazione prevedibile • Il limite gate-sorgente 20 V protegge la selezione dell'azionamento del gate e la progettazione del circuito
Applicazioni
• Adatto per alimentatori industriali e convertitori CC-CC • Ideale per i front-end di azionamento del motore ad alta tensione con corrente moderata • Utilizzato per circuiti snubber o a morsetto in sistemi ad alta tensione • Può essere utilizzato per la commutazione di elementi nella saldatura o nell'elettronica di controllo al plasma
A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in condizioni termiche difficili.
Quale contenitore deve essere considerato per il layout e il montaggio del circuito stampato?
Il contenitore TO-262 richiede un montaggio a foro passante e aree in rame più grandi per la dissipazione del calore.
In che modo la carica del gate influisce sulla selezione del driver?
Una carica di gate tipica di 78 nC alla tensione di azionamento del gate determina la corrente di azionamento richiesta e le perdite di commutazione durante le transizioni.
Ci sono limitazioni sull'applicazione della tensione di gate?
La tensione massima ammissibile gate-sorgente è di 20 V, pertanto i driver gate e le reti di protezione devono evitare il superamento.