1 MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N, 6.5 Ω, 1.4 A 800 V, TO-220FP
- Codice RS:
- 180-8699
- Codice costruttore:
- IRFIBE20GPBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
9,63 €
(IVA esclusa)
11,75 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 15 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,926 € | 9,63 € |
| 50 - 120 | 1,732 € | 8,66 € |
| 125 - 245 | 1,636 € | 8,18 € |
| 250 - 495 | 1,54 € | 7,70 € |
| 500 + | 1,448 € | 7,24 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8699
- Codice costruttore:
- IRFIBE20GPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-220FP | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.5Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 30W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-220FP | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.5Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 30W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il Vishay IRFIBE20G è un MOSFET di potenza a canale N con tensione drain-source (Vds) di 800V. La tensione gate-source (VGS) è 20V. Ha un contenitore TO-220 FULLPAK. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 6,5ohm a 10VGS.
Contenitore isolato
Isolamento ad alta tensione = 2,5 kVrms (t = 60 s.; f = 60 Hz)
Distanza di dispersione da sink a conduttore = 4,8 mm
Link consigliati
- 1 MOSFET di potenza Vishay 6.5 Ω TO-220FP IRFIBE20GPBF
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 1.8 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 4.5 Ω Miglioramento 3 Pin, TO-220FP
- MOSFET STMicroelectronics 4.5 Ω Miglioramento 3 Pin, TO-220FP STF3NK80Z
- MOSFET STMicroelectronics 1.1 Ω 3 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 1.1 Ω 3 Pin Foro passante STF80N1K1K6
- MOSFET Infineon 1.5 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SPA08N80C3XKSA1
- MOSFET Infineon 1.4 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
