1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale N, 0.2 Ω, 10 A 60 V, Foro passante, Superficie IRLZ14SPBF
- Codice RS:
- 180-8716
- Codice costruttore:
- IRLZ14SPBF
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8716
- Codice costruttore:
- IRLZ14SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo montaggio | Foro passante, Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.2Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 43W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo montaggio Foro passante, Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.2Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 43W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
L'IRLZ14S Vishay è un MOSFET di potenza a canale N con tensione di scarico-sorgente (Vds) di 60 V. La tensione di gate-sorgente (VGS) è di 10 V. È dotato di contenitore D2PAK (TO-263). Offre una resistenza di scarico-sorgente (RDS) di 0,20 ohm a 5 VGS.
Tecnologia di processo avanzata
Montaggio superficiale
Temperatura d'esercizio 175 °C