1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 3 Ω, 3.3 A 500 V
- Codice RS:
- 180-8724
- Codice costruttore:
- IRFR420APBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8724
- Codice costruttore:
- IRFR420APBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 83W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 83W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET a canale N Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione sorgente di scarico di 500 V e una tensione sorgente di gate massima di 30 V. È dotato di una resistenza sorgente di scarico di 3 ohm a una tensione sorgente di gate di 10 V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 83 W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione e di conduzione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza e una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Spessore effettivo specificato
• Capacità completamente caratterizzata e tensione e corrente di valanga
• Componente senza alogeni e piombo (Pb)
• Gate, valanga e dV/dt dinamici migliorati
• La bassa carica del gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento
• Temperature d'esercizio comprese tra -55 °C e 150 °C
Applicazioni
• Commutazione di alimentazione ad alta velocità
• Alimentatore switching (SMPS)
• Alimentatori ininterrotti
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