1 MOSFET Vishay Singolo, canale N, 0.2 Ω, 2.7 A 60 V, SOT-223, Superficie, 4 Pin IRLL014TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-8823
Codice costruttore:
IRLL014TRPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.2Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Altezza

1.8mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.3mm

Larghezza

3.3mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore SOT-223-3 a canale N di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 10V. Ha una resistenza drain-source di 200mohm a una tensione gate-source di 5V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 3,1 W. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4V e 5V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• disponibile in nastro e bobina

• valore nominale DV/dt dinamico

• facilità di collegamento in parallelo

Commutazione rapida •

• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• Stadio pilota livello logico

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

• RDS (ON) specificato a VGS è 4V e 5V

Applications


• Caricabatterie

• Inverter

• Alimentatori

Alimentatore switching (SMPS) •

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