MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 91 mΩ Miglioramento, 4.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 182-7125P
- Codice costruttore:
- DMN2058UW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 182-7125P
- Codice costruttore:
- DMN2058UW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | DMN2058U | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 91mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.13W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie DMN2058U | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 91mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.13W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
Completamente senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico.
Applicazioni
Controllo motori
Funzioni di gestione dell'alimentazione
retroilluminazione