MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 40 V, 23 mΩ Miglioramento, 55 A, 4 Pin, TO-252, Superficie DMPH4013SK3-13
- Codice RS:
- 182-7255
- Codice costruttore:
- DMPH4013SK3-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 182-7255
- Codice costruttore:
- DMPH4013SK3-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | DMP | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 23mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.7W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 67nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.26mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6.2 mm | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie DMP | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 23mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.7W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 67nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.26mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6.2 mm | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Valore nominale a +175°C - ideale per alta temperatura ambiente
Ambienti
Bassa resistenza in stato attivo
Elevata velocità di commutazione
Finitura senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazioni
Protezione contro l'inversione di polarità
Controllo motori
Gestione dell'alimentazione
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