MOSFET DiodesZetex, canale P, 23 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 182-7255
- Codice costruttore:
- DMPH4013SK3-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
50 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per 1pz in confezione da 10
0,929 €
(IVA esclusa)
1,133 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
---|---|---|
10 + | 0,929 € | 9,29 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 182-7255
- Codice costruttore:
- DMPH4013SK3-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Valore nominale a +175°C - ideale per alta temperatura ambiente
Ambienti
Bassa resistenza in stato attivo
Elevata velocità di commutazione
Finitura senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazioni
Protezione contro l'inversione di polarità
Controllo motori
Gestione dell'alimentazione
Ambienti
Bassa resistenza in stato attivo
Elevata velocità di commutazione
Finitura senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazioni
Protezione contro l'inversione di polarità
Controllo motori
Gestione dell'alimentazione
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | P |
Corrente massima continuativa di drain | 55 A |
Tensione massima drain source | 40 V |
Tipo di package | DPAK (TO-252) |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 23 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 3V |
Tensione di soglia gate minima | 1V |
Dissipazione di potenza massima | 3,7 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | ±20 V |
Lunghezza | 6.7mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Larghezza | 6.2mm |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Carica gate tipica @ Vgs | 67 nC a 10V |
Standard per uso automobilistico | AEC-Q101 |
Altezza | 2.26mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Tensione diretta del diodo | 1.2V |
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex, canale P, 23 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252),...
- MOSFET DiodesZetex, canale P, 26 mΩ, 50 A, DPAK (TO-252),...
- MOSFET DiodesZetex, canale P, 0,019 Ω, 79 A, DPAK (TO-252),...
- MOSFET DiodesZetex, canale P, 0,019 Ω, 14 A, 74 A., DPAK (TO-252),...
- MOSFET DiodesZetex, canale P, 0.019 Ω, 79 A, DPAK (TO-252),...
- MOSFET DiodesZetex, canale P, 45 mΩ, 8,6 A, DPAK (TO-252),...
- MOSFET DiodesZetex, canale P, 0.023 Ω, 55 A, DPAK (TO-252),...
- MOSFET DiodesZetex, canale P, 85 mΩ, 10,5 A, DPAK (TO-252),...