MOSFET DiodesZetex, canale N, 25 mΩ, 30,8 A (stato), 43,6 A (fisso), PowerDI5060, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
182-7388
Codice costruttore:
DMTH4014LPD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

30,8 A (stato), 43,6 A (fisso)

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

PowerDI5060

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

25 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

42,8 W

Tensione massima gate source

±20 V

Carica gate tipica @ Vgs

10,2 nC a 10V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

5.85mm

Numero di elementi per chip

2

Larghezza

4.95mm

Altezza

1.05mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V

Standard per uso automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Valore nominale a +175 °C - ideale per ambienti ad alta temperatura
Commutazione induttiva sbloccata al 100% - garantisce una applicazione finale più affidabile e robusta
Elevata efficienza di conversione
Bassa RDS(ON) - riduce le perdite in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Applicazioni
Funzioni di gestione dell'alimentazione
Convertitori cc-cc
retroilluminazione

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