MOSFET onsemi, canale N, 440 mΩ, 910 mA, SC-88, Montaggio superficiale

Questo dispositivo doppio a canale N è stato progettato con un contenitore di ingombro ridotto (2x2 mm) con il processo planare leader DI ON Semiconductor per un ingombro ridotto e una maggiore efficienza. La bassa cifra di merito è particolarmente adatta per dispositivi alimentati a batteria li-Ion a cella singola o doppia, quali telefoni cellulari, lettori multimediali, fotocamere digitali e PDA.

Ingombro ridotto (2 x 2 mm)
Dispositivo Canale N Con Carica Gate Bassa
Gate con protezione ESD
Stesso pacchetto di SC-70 (6 Derivazioni)
Applicazioni:
Commutazione Della Potenza Di Carico
Dispositivi In Dotazione Con Batteria Agli Ioni Di Litio
Conversione CC-CC