2 MOSFET onsemi Duale, canale N, 268 mΩ, 2.9 A 30 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 200 unità (fornito in bobina)*

122,60 €

(IVA esclusa)

149,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 900 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
200 - 4800,613 €
500 +0,532 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
184-5019P
Codice costruttore:
FDMA2002NZ
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDFN

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

268mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2mm

Lunghezza

2mm

Altezza

0.75mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Questo dispositivo è stato progettato specificamente come una soluzione a pacchetto singolo per i requisiti di commutazione doppio nel telefono cellulare e in altre applicazioni ultraportatili. È dotato di due MOSFET a canale N indipendenti con bassa resistenza allo stato attivo per perdite di conduzione minime. Il MicroFET 2x2 offre prestazioni termiche eccezionali per le sue dimensioni fisiche ed è adatto per applicazioni in modalità lineare.

2,9 A, 30 V.

RDS(ON) = 123 mΩ a VGS = 4,5 V.

RDS(ON) = 140 mΩ a VGS = 3,0 V.

RDS(ON) = 163 mΩ a VGS = 2,5 V.

Basso profilo - 0,8 mm massimo - nella nuova confezione MicroFET 2x2 mm

Livello di protezione ESD HBM = 1,8kV (nota 3)

Non contenenti composti alogenati e ossidi di antimonio

Applicazioni

Questo prodotto è di uso generale e adatto per molte applicazioni diverse

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.