2 MOSFET onsemi Duale, canale N, 268 mΩ, 2.9 A 30 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDMA2002NZ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
184-5019P
Codice costruttore:
FDMA2002NZ
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

WDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

268mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.4nC

Tensione diretta Vf

900mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2mm

Altezza

750μm

Lunghezza

2mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Questo dispositivo è stato progettato specificamente come una soluzione a pacchetto singolo per i requisiti di commutazione doppio nel telefono cellulare e in altre applicazioni ultraportatili. È dotato di due MOSFET a canale N indipendenti con bassa resistenza allo stato attivo per perdite di conduzione minime. Il MicroFET 2x2 offre prestazioni termiche eccezionali per le sue dimensioni fisiche ed è adatto per applicazioni in modalità lineare.

2,9 A, 30 V.

RDS(ON) = 123 mΩ a VGS = 4,5 V.

RDS(ON) = 140 mΩ a VGS = 3,0 V.

RDS(ON) = 163 mΩ a VGS = 2,5 V.

Basso profilo - 0,8 mm massimo - nella nuova confezione MicroFET 2x2 mm

Livello di protezione ESD HBM = 1,8kV (nota 3)

Non contenenti composti alogenati e ossidi di antimonio

Applicazioni

Questo prodotto è di uso generale e adatto per molte applicazioni diverse

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