MOSFET onsemi, canale N 650 V, 27.4 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 186-1497P
- Codice costruttore:
- NVHL027N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 10 unità (fornito in tubo)*
179,40 €
(IVA esclusa)
218,90 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 12 aprile 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 - 99 | 17,94 € |
| 100 + | 15,56 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-1497P
- Codice costruttore:
- NVHL027N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 75A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 27.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 595W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 227nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 75A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 27.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 595W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 227nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 20.82mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Non conforme
MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e l'efficienza più elevata. SUPERFET III FRFET Le prestazioni ottimali di recupero inverso del diodo di body del MOSFET possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.
700 V a TJ = 150°C.
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 259 nC)
Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 1972 pF)
Capacità PPAP
Tip. RDS(on) = 27,4 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Capacità PPAP
Applicazioni
Convertitore CC/CC HV
Prodotti finali
Caricabatteria di bordo
Convertitore CC/CC