2 MOSFET onsemi Duale, canale N, 550 mΩ, 1 A 100 V, TSOT-23, Superficie, 6 Pin
- Codice RS:
- 186-8997P
- Codice costruttore:
- FDC3601N
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 186-8997P
- Codice costruttore:
- FDC3601N
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TSOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 550mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.96W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.1mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TSOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 550mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.96W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.1mm | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Questi MOSFET specificati a 100 V a canale N sono prodotti utilizzando un Advanced PowerTrench processo che è stato appositamente adattato per minimizzare la resistenza allo stato attivo e mantenere tuttavia una bassa carica di gate per prestazioni di commutazione superiori. Questi dispositivi sono stati progettati per offrire un'eccezionale dissipazione di potenza in un ingombro molto ridotto per applicazioni in cui i pacchetti SO-8 e TSSOP-8 più costosi sono poco pratici.
1,0 A, 100 V.
RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V.
RDS(on) = 550 mΩ a VGS = 6 V.
Bassa carica del cancello (3.7nC tipica)
Elevata velocità di commutazione
Tecnologia trench ad alte prestazioni per RDS(ON) estremamente basso
Confezione SuperSOT™-6: Ingombro ridotto del 72% (inferiore allo standard SO-8), profilo basso (spessore 1 mm)
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.