MOSFET Vishay, canale N 30 V, 7.1 mΩ Miglioramento, 70 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiRA84BDP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5078P
Codice costruttore:
SiRA84BDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiRA84BDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.99mm

Altezza

1.07mm

Larghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 30 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

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