MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 5 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante
- Codice RS:
- 188-8455P
- Codice costruttore:
- STD5NM60T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 188-8455P
- Codice costruttore:
- STD5NM60T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 2.4mm | |
| Altezza | 6.2mm | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package IPAK | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 2.4mm | ||
Altezza 6.2mm | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET di potenza che associa il processo di drain multiplo al layout orizzontale PowerMESH™ dell'azienda. Il prodotto risultante ha una straordinaria bassa resistenza all'accensione, un elevato dv/dt impressionante ed eccellenti caratteristiche di valanghe. L’adozione della tecnica proprietaria della strip produce performance dinamiche complessive.
Bassa capacità di ingresso e carica del gate
Elevata capacità dv/dt e valanghe
Bassa resistenza di ingresso del gate
Applications
Applicazioni di commutazione