MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 500 V, 350 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 188-8473P
- Codice costruttore:
- STB12NM50T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
228,90 €
(IVA esclusa)
279,25 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 955 unità in spedizione dal 13 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 120 | 4,578 € |
| 125 + | 3,68 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-8473P
- Codice costruttore:
- STB12NM50T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | STP12NM50 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 350mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 160W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 4.37mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie STP12NM50 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 350mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 160W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Altezza 4.37mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET che associa il processo Di Drain Multiplo al layout orizzontale PowerMESH™della società. Il prodotto risultante ha una straordinaria bassa resistenza all'accensione, un elevato dv/dt impressionante ed eccellenti caratteristiche di valanghe. L'adozione della tecnica proprietaria di strip produce prestazioni dinamiche complessive.
Elevata capacità dv/dt e valanghe
Bassa capacità di ingresso e carica del gate
Controllo rigoroso dei processi e rese di produzione elevate
Bassa resistenza di ingresso del gate
Applications
Applicazione di commutazione