MOSFET STMicroelectronics Miglioramento, 3 Pin, TO-220, Foro passante STGP8NC60KD
- Codice RS:
- 188-8476
- Codice costruttore:
- STGP8NC60KD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-8476
- Codice costruttore:
- STGP8NC60KD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 2.1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 65W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 15.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.6 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 2.1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 65W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Altezza 15.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.6 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo IGBT utilizza il processo Advanced PowerMESH™, che si traduce in un eccellente compromesso tra le prestazioni di commutazione e il basso comportamento in stato attivo.
Calo di tensione ON inferiore (VCE(sat))
Diodo antiparallelo a recupero ultrarapido molto morbido
Rapporto CRES/CIES inferiore (nessuna suscettibilità di conduzione incrociata)
Tempo di resistenza ai cortocircuiti 10μs
Applications
Comandi del motore ad alta frequenza
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