MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 60 V, 21 mΩ Miglioramento, 7.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 188-8543P
- Codice costruttore:
- STS7NF60L
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
57,90 €
(IVA esclusa)
70,65 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 7280 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 90 | 1,158 € |
| 100 - 240 | 1,041 € |
| 250 - 490 | 0,936 € |
| 500 + | 0,892 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-8543P
- Codice costruttore:
- STS7NF60L
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 21mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.65mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 21mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.65mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET di potenza è l'ultimo sviluppo di STMicroelectronis esclusivo processo a striscia "Single Feature Size™". Il transistore risultante presenta una densità di impaccamento estremamente elevata per una bassa resistenza all'accensione, caratteristiche di valanga robuste e fasi di allineamento meno critiche, quindi una notevole riproducibilità di fabbricazione.
RDS(ON) TIPICO = 0,017 Ω
AZIONAMENTO A SOGLIA BASSA
PROFILO STANDARD PER UN FACILE MONTAGGIO AUTOMATICO SU SUPERFICIE
APPLICAZIONI
AZIONAMENTO DEL MOTORE CC
CONVERTITORI C.C.-C.C.
GESTIONE DELLE BATTERIE INOMADIC
GESTIONE DELL'ALIMENTAZIONE IPORTABLE/PC DESKTOP
