MOSFET STMicroelectronics, canale N 60 V, 21 mΩ Miglioramento, 7.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie STS7NF60L
- Codice RS:
- 188-8543P
- Codice costruttore:
- STS7NF60L
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 188-8543P
- Codice costruttore:
- STS7NF60L
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 21mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.65mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 21mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.65mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET di potenza è l'ultimo sviluppo di STMicroelectronis esclusivo processo a striscia "Single Feature Size™". Il transistore risultante presenta una densità di impaccamento estremamente elevata per una bassa resistenza all'accensione, caratteristiche di valanga robuste e fasi di allineamento meno critiche, quindi una notevole riproducibilità di fabbricazione.
RDS(ON) TIPICO = 0,017 Ω
AZIONAMENTO A SOGLIA BASSA
PROFILO STANDARD PER UN FACILE MONTAGGIO AUTOMATICO SU SUPERFICIE
APPLICAZIONI
AZIONAMENTO DEL MOTORE CC
CONVERTITORI C.C.-C.C.
GESTIONE DELLE BATTERIE INOMADIC
GESTIONE DELL'ALIMENTAZIONE IPORTABLE/PC DESKTOP