MOSFET onsemi, canale N 60 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 250 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie NTMJS1D6N06CLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
189-0312P
Codice costruttore:
NTMJS1D6N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

250A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NTMJS1D6N06CL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak8, Standard Industriale

Questi Dispositivi Sono Privi Di Piombo

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