MOSFET onsemi, canale N 60 V, 910 μΩ Miglioramento, 376 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
189-0331P
Codice costruttore:
NTMTS001N06CTXG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

376A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTMTS001N06C

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

910μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

244W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

113nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

8mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Ingombro ridotto (8x8 mm) per design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR

Applicazioni tipiche

Utensili Elettrici, Aspiratori A Batteria

Uav/Droni, Movimentazione Materiali

Bms/Storage, Automazione Domestica

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