MOSFET onsemi, canale N 40 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 330 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie NTMJS0D9N04CLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
189-0485P
Codice costruttore:
NTMJS0D9N04CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

330A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NTMJS0D9N04CL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

143nC

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
MOSFET di potenza industriale in un contenitore LFPAK 5x6mm progettato per design compatti ed efficienti e con elevate prestazioni termiche.

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