MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 660 mΩ Miglioramento, 5.5 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL10N60M6
- Codice RS:
- 192-4825P
- Codice costruttore:
- STL10N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 245 | 1,856 € |
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| 500 + | 1,256 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 192-4825P
- Codice costruttore:
- STL10N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 660mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 48W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 660mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 48W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
La nuova tecnologia MDmesh™ M6 incorpora i più recenti progressi nella ben nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente RDS(on) per area di miglioramento con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni finali.
Perdite di commutazione ridotte
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa resistenza di ingresso del gate
Protezione Zener