1 STMicroelectronics Singolo, canale N, 415 mΩ, 7 A 600 V, PowerFLAT (5 x 6) HV, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 192-4849P
- Codice costruttore:
- STL13N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 192-4849P
- Codice costruttore:
- STL13N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 415 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 7 A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 600 V | |
| Tipo di package | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 8 | |
| Tensione diretta (Vf) | 1.6 V | |
| Altezza | 950 μm | |
| Lunghezza | 6 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | 25 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 52 W | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 415 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 7 A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 600 V | ||
Tipo di package PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 8 | ||
Tensione diretta (Vf) 1.6 V | ||
Altezza 950 μm | ||
Lunghezza 6 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) 25 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 52 W | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Larghezza 5 mm | ||
- Paese di origine:
- CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected