1 STMicroelectronics Singolo, canale Tipo N, 415 mΩ, 7 A 600 V, PowerFLAT (5 x 6) HV, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 192-4849P
- Codice costruttore:
- STL13N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 192-4849P
- Codice costruttore:
- STL13N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 415mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Larghezza | 5mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 415mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Lunghezza 6mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Larghezza 5mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
- Paese di origine:
- CN
La nuova tecnologia MDmesh M6 incorpora i più recenti sviluppi della famosa e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente miglioramento RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza dell'applicazione finale.
Riduzione delle perdite di commutazione
RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa resistenza di ingresso gate
Protezione Zener
