MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 110 mΩ Miglioramento, 25 A, 5 Pin, PowerFLAT, Superficie STL45N60DM6
- Codice RS:
- 192-4899P
- Codice costruttore:
- STL45N60DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 2 unità (fornito in una striscia continua)*
9,66 €
(IVA esclusa)
11,78 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 14 unità per ottenere la consegna gratuita
Ultimi pezzi su RS
- 64 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 2 + | 4,83 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 192-4899P
- Codice costruttore:
- STL45N60DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 110mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 160W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 44nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Larghezza | 8.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 160W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 44nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.9mm | ||
Larghezza 8.1 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM6. Rispetto alla generazione veloce MDmesh precedente, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) ed un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con un efficace comportamento di commutazione per le topologie a ponte ad alta efficienza più esigenti e i convertitori a sfasamento ZVS.
Diodo corpo a recupero rapido
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener