MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 195 mΩ Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP26N60DM6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
192-4925
Codice costruttore:
STP26N60DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

195mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.75mm

Larghezza

4.6 mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM6. Rispetto alla generazione veloce MDmesh precedente, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) ed un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con un efficace comportamento di commutazione per le topologie a ponte ad alta efficienza più esigenti e i convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

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