MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 280 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 192-4936P
- Codice costruttore:
- STB18N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 25 - 45 | 2,396 € |
| 50 - 120 | 2,152 € |
| 125 - 245 | 1,936 € |
| 250 + | 1,846 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 192-4936P
- Codice costruttore:
- STB18N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | STB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 280mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.37mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie STB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 280mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.37mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
La nuova tecnologia MDmesh M6 incorpora i più recenti progressi nella ben nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente RDS(on) per area di miglioramento con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni finali.
Perdite di commutazione ridotte
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa resistenza di ingresso del gate
Protezione Zener