MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 300 V, 0.04 Ω Miglioramento, 53 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 192-4977P
- Codice costruttore:
- STB45N30M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 192-4977P
- Codice costruttore:
- STB45N30M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 53A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 300V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.04Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 95nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 4.37mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 53A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 300V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.04Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 95nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Altezza 4.37mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo dispositivo è un MOSFET di potenza a canale N basato sull'innovativa tecnologia di processo verticale MDmesh™ M5 combinata con il ben noto layout orizzontale PowerMESH™. Il prodotto risultante offre una resistenza all'accensione estremamente bassa, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono un'elevata potenza e un'efficienza superiore.
RDS(ON) estremamente basso
Bassa carica del gate e capacità di ingresso
Eccellenti prestazioni di commutazione