MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 1.55 Ω Miglioramento, 3.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 193-5390P
- Codice costruttore:
- STD5N60DM2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 193-5390P
- Codice costruttore:
- STD5N60DM2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | STD5N | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.55Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 45W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Altezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie STD5N | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.55Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 45W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Altezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e tempo (trr) combinati con bassa RDS(on), il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi e ideale per topologie a ponte e convertitori a sfasamento ZVS.
Diodo corpo a recupero rapido
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse
Bassa resistenza in stato attivo
Capacità dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener