MOSFET onsemi, canale N 80 V, 7.5 mΩ Miglioramento, 116 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2499P
Codice costruttore:
FDMS4D5N08LC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

116A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

FDMS

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

113.6W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.85mm

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Tecnologia MOSFET a gate schermato

Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 10 V, ID = 37 A

Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 29 A

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Capacità Unità Di Livello Logico

Applicazione

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

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