MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 200 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie
- Codice RS:
- 195-2509P
- Codice costruttore:
- NVMJS1D5N04CLTWG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 195-2509P
- Codice costruttore:
- NVMJS1D5N04CLTWG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 200A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | LFPAK | |
| Serie | NVMJS1D5N04CL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.15mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 200A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package LFPAK | ||
Serie NVMJS1D5N04CL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.15mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto
Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione
Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver
Contenitore Lfpak8, Standard Industriale
Capacità PPAP
Questi dispositivi sono senza piombo