MOSFET onsemi, canale N 60 V, 4.2 mΩ Miglioramento, 133 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie
- Codice RS:
- 195-2513P
- Codice costruttore:
- NVMYS3D3N06CLTWG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 195-2513P
- Codice costruttore:
- NVMYS3D3N06CLTWG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 133A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | NVMYS3D3N06CL | |
| Tipo di package | LFPAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 40.7nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.15mm | |
| Larghezza | 4.25mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 133A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie NVMYS3D3N06CL | ||
Tipo di package LFPAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 40.7nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.15mm | ||
Larghezza 4.25mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con DPAK ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni automobilistiche che richiedono una maggiore affidabilità a livello di scheda.
Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto
Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione
Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver
Contenitore Lfpak4, Standard Industriale
Capacità PPAP
Questi dispositivi sono senza piombo