MOSFET onsemi, canale N 40 V, 5.3 mΩ Miglioramento, 71 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie NVMYS5D3N04CTWG

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Codice RS:
195-2523
Codice costruttore:
NVMYS5D3N04CTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

71A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NVMYS5D3N04C

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con DPAK ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni automobilistiche che richiedono una maggiore affidabilità a livello di scheda.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono senza piombo

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