MOSFET onsemi, canale N 60 V, 43 mΩ Miglioramento, 21 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2552P
Codice costruttore:
NVMYS025N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NVMYS025N06CL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

43mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

24W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.8nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.15mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con DPAK ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni automobilistiche che richiedono una maggiore affidabilità a livello di scheda.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono senza piombo

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