2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 8.8 mΩ, 74 A 80 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 195-2668
- Codice costruttore:
- NVMFD6H840NLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*
1276,50 €
(IVA esclusa)
1557,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,851 € | 1.276,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 195-2668
- Codice costruttore:
- NVMFD6H840NLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 74A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minima temperatura operativa | 175°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.1W | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 74A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC | ||
Minima temperatura operativa 175°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.1W | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Altezza 1.05mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Ingombro ridotto (5x6 mm)
Design compatto
Bassa resistenza RDS(on)
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
QG e capacità bassi
Riduce le perdite di driver
NVMFS5C410NLWF - Opzione Wettable Flank
Ispezione visiva migliorata
Capacità PPAP
Applicazione
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Alimentatori switching
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
