2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 8.8 mΩ, 74 A 80 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NVMFD6H840NLT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2669
Codice costruttore:
NVMFD6H840NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

74A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

175°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

1.05mm

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Design compatto

Bassa resistenza RDS(on)

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

QG e capacità bassi

Riduce le perdite di driver

NVMFS5C410NLWF - Opzione Wettable Flank

Ispezione visiva migliorata

Capacità PPAP

Applicazione

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)