MOSFET onsemi, canale N 60 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 224 A, 8 Pin, PQFN, Superficie
- Codice RS:
- 195-2675P
- Codice costruttore:
- NVMFSC1D6N06CL
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 195-2675P
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- NVMFSC1D6N06CL
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 224A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 91nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 166W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5.9mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Larghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 224A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 91nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 166W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5.9mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Larghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Ingombro ridotto (5x6 mm)
Design compatto
Bassa resistenza RDS(on)
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
QG e capacità bassi
Riduce le perdite di driver
Capacità PPAP
Applicazione
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Alimentatori switching