MOSFET onsemi, canale N 60 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 235 A, 8 Pin, PQFN, Superficie
- Codice RS:
- 195-8747P
- Codice costruttore:
- NTMFSC1D6N06CL
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 195-8747P
- Codice costruttore:
- NTMFSC1D6N06CL
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 235A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 166W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 91nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Larghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 235A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PQFN | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 166W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 91nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6mm | ||
Larghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.95mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET a canale N è prodotto utilizzando il processo Advanced Power Trench® DI ON Semiconductor. I progressi nelle tecnologie del contenitore in silicio e Dual Cool™ sono stati combinati per offrire la RDS(ON) più bassa e, al contempo, eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla resistenza termica da giunzione a ambiente estremamente bassa.
Top e Bottom sono esposte in piedinatura standard 5x6mm
Migliore dissipazione termica attraverso il lato Top e Bottom del contenitore
Rds(on) ultra bassa
Perdita di conduzione ridotta
Capacità ridotte e induttanza del contenitore
Perdita di commutazione ridotta
Applications
Raddrizzatore sincrono in alimentatori c.a.-c.c. e c.c.-c.c.
Interruttore Del Motore
Interruttore di carico