MOSFET onsemi, canale N, 0.028 Ω 1.2 kV, 98 A Miglioramento, TO-263, Superficie, 7 Pin NVBG020N120SC1
- Codice RS:
- 195-8970P
- Codice costruttore:
- NVBG020N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 195-8970P
- Codice costruttore:
- NVBG020N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 0.028 Ω | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 1.2 kV | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 98 A | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 0.028 Ω | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 1.2 kV | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 98 A | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK−7L
The On Semiconductor single N-channel silicon carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and Compact chip size ensure low capacitance and gate charge. It include highest efficiency, Faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Ultra low gate charge (typ. QG(tot) = 220nC)
Low effective output capacitance
100% avalanche tested
Qualified according to AEC−Q101