MOSFET Vishay, canale N 40 V, 1.24 mΩ Miglioramento, 350 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJA36EP-T1_GE3

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Codice RS:
200-6822
Codice costruttore:
SQJA36EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

350A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SQJA36EP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

107nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.2mm

Larghezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il Vishay SQJA36EP-T1_GE3 è un MOSFET a 175 °C 40V (D-S) a canale N per uso automobilistico.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Il rapporto QGD/QGS< 1 ottimizza la commutazione

caratteristiche

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