MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 116 A, 7 Pin, H2PAK, Superficie
- Codice RS:
- 201-0869P
- Codice costruttore:
- SCTH90N65G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 - 24 | 24,62 € |
| 25 - 49 | 24,07 € |
| 50 - 99 | 22,86 € |
| 100 + | 22,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 201-0869P
- Codice costruttore:
- SCTH90N65G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 116A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SCTH90 | |
| Tipo di package | H2PAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 24mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 484W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 157nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 10.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.25mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 116A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SCTH90 | ||
Tipo di package H2PAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 24mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 484W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 157nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 10.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.25mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics 650V ha una corrente nominale di 116A e una resistenza da drain a source di 18m Ohm. Ha una bassa resistenza in stato attivo per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.
Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 175 °C)
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse