MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 119 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTW90N65G2V
- Codice RS:
- 201-0887P
- Codice costruttore:
- SCTW90N65G2V
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 201-0887P
- Codice costruttore:
- SCTW90N65G2V
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 119A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SCTW90 | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 24mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 2.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 18V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 565W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 157nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 119A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SCTW90 | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 24mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 2.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 18V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 565W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 157nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics 650V ha una corrente nominale di 119A e una resistenza da drain a source di 18m Ohm. Ha una bassa resistenza in stato attivo per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.
Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 175 °C)
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse