MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.055 Ω 650 V, 45 A Miglioramento, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin SCTH35N65G2V-7
- Codice RS:
- 201-0891P
- Codice costruttore:
- SCTH35N65G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 201-0891P
- Codice costruttore:
- SCTH35N65G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 0.055 Ω | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 650 V | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 45 A | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tipo di package | H2PAK-7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Serie | SCTH35 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 0.055 Ω | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 650 V | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 45 A | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tipo di package H2PAK-7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Serie SCTH35 | ||
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance