MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.055 Ω 650 V, 45 A Miglioramento, H2PAK-7, Montaggio superficiale, 7 Pin
- Codice RS:
- 201-0891P
- Codice costruttore:
- SCTH35N65G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 201-0891P
- Codice costruttore:
- SCTH35N65G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 45A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | H2PAK-7 | |
| Serie | SCTH35 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.055Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 45A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package H2PAK-7 | ||
Serie SCTH35 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.055Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio da 650 V STMicroelectronics ha una corrente nominale di 45 A e Resistenza da drenaggio a sorgente 55 m Ohm. Ha una bassa resistenza all'accensione per area unitaria e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.
Diodo intrinseco molto veloce e robusto
Bassa capacitanza