MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 203 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, H2PAK-2, Superficie
- Codice RS:
- 201-4416P
- Codice costruttore:
- SCT20N120H
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 99 | 10,32 € |
| 100 - 249 | 9,40 € |
| 250 - 499 | 9,17 € |
| 500 + | 8,93 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 201-4416P
- Codice costruttore:
- SCT20N120H
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | H2PAK-2 | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 203mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Altezza | 10.4mm | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package H2PAK-2 | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 203mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Altezza 10.4mm | ||
Larghezza 4.7 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Il materiale SiC ha eccezionali proprietà termiche.
Variazione molto stretta della resistenza in stato attivo rispetto a. Temperatura
Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Bassa capacitanza